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SI4136DY-T1-GE3 /
SI4136DY-T1-GE3的规格信息
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系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：46A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：110nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4560pF @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），7.8W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：46A

漏源极导通电阻RDS(ON)：1.95mOhms

无铅情况/RoHs：否

供应商SI4136DY-T1-GE3
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集好芯城SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
上海三崧电子有限公司SI4136DY-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si4136DY-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4136DY-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4136DY-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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集好芯城SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI4136DY-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司SI4136DY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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SI4136DY-T1-GE3MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO212.18 Kbytes共9页SI4136DY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4136DY-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO211.63 Kbytes共9页SI4136DY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4136DY-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO170.18 Kbytes共9页SI4136DY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4136DY-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SI4136DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 46A 7.8W2500+:￥4.78
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI4136DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 46A 7.8W2500+:￥4.78
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI4136DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 46A 7.8W2500+:￥4.78
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI4136DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 46A 7.8W2500+:￥4.78
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4136DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-81:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8704
2,500:¥6.8704
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立创商城		SI4136DY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W(Tc) 类型：N沟道1+:￥14.83
10+:￥14.45
30+:￥11.36
100+:￥11.15
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