SI4126DY-T1-GE3的供应商，SI4126DY-T1-GE3规格参数，SI4126DY-T1-GE3的PDF资料

SI4126DY-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4126DY-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:39 A

Rds On-漏源导通电阻:2.75 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:7.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:75 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:43 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:SI4126DY-GE3

单位重量:187 mg

SI4126DY-T1-GE3

SI4126DY-T1-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
集好芯城	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市芯奕科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K3	15818509871	王志	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
上海三崧电子有限公司	SI4126DY-T1-GE3	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	Si4126DY-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	Si4126DY-T1-GE3	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市百域芯科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI4126DY-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价

SI4126DY-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SI4126DY-T1-GE3	MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8	Vishay / Siliconix	202.32 Kbytes	共9页	无
SI4126DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC	Vishay Siliconix	206.72 Kbytes	共9页	无
SI4126DY-T1-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.75mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W(Tc) 类型：N沟道	VISHAY(威世)	201.22 Kbytes	共9页	无

SI4126DY-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
ChipOneStop	SI4126DY-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30V 39A 7.8W 2.75mohm @ 10V	2500+:￥7.85 5000+:￥7.56 12500+:￥7.27 25000+:￥7.16 62500+:￥6.981+:￥14.41 10+:￥11.6 100+:￥9.28 500+:￥9.28 1000+:￥8.61 2500+:￥7.91 5000+:￥7.83 10000+:￥7.53 25000+:￥7.482500+:￥4.06
Digi-Key 得捷电子	SI4126DY-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30V 39A 7.8W 2.75mohm @ 10V	2500+:￥7.85 5000+:￥7.56 12500+:￥7.27 25000+:￥7.16 62500+:￥6.98
Mouser 贸泽电子	SI4126DY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8	1:¥19.0518 10:¥15.8313 100:¥12.2944 500:¥10.7576 2,500:¥10.7576
Mouser 贸泽电子	SI4126DY-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30V 39A 7.8W 2.75mohm @ 10V	2500+:￥7.85 5000+:￥7.56 12500+:￥7.27 25000+:￥7.16 62500+:￥6.981+:￥14.41 10+:￥11.6 100+:￥9.28 500+:￥9.28 1000+:￥8.61 2500+:￥7.91 5000+:￥7.83 10000+:￥7.53 25000+:￥7.48
立创商城	SI4126DY-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.75mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥10.02 10+:￥7.47 30+:￥7.01 100+:￥6.3438 500+:￥6.1401 1000+:￥6.0431

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