系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：32.1A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：3175pF @ 30V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：7.8W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：32.1A

漏源极导通电阻RDS(ON)：5.5mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：2.6V

Id-连续漏极电流：32.1A

Pd-功率耗散：7.8W

Qg-栅极电荷：40nC

Rds On-漏源导通电阻：4.2mOhms

Vds-漏源极击穿电压：60V

Vgs - 栅极-源极电压：10V

Vgs th-栅源极阈值电压：1.4V

上升时间：6ns

下降时间：8ns

典型关闭延迟时间：34ns

典型接通延迟时间：16ns

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：SO-8

晶体管极性：N-Channel

晶体管类型：1N-Channel

最大工作温度：+150C

最小工作温度：-55C

正向跨导 - 最小值：80S

系列：SI4

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs