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SGP23N60UFDTU /IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
SGP23N60UFDTU的规格信息
SGP23N60UFDTU的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.1 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:23 A

Pd-功率耗散:100 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:SGP23N60UFD

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:23 A

高度:9.4 mm

长度:10.1 mm

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:23 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:IGBTs

零件号别名:SGP23N60UFDTU_NL

单位重量:1.800 g

供应商SGP23N60UFDTU
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深圳市威雅利发展有限公司SGP23N60UFDTU华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SGP23N60UFDTU深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
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SGP23N60UFDTU及相关型号的PDF资料
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SGP23N60UFDTU的全球分销商及价格
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Verical		SGP23N60UFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品1000+:￥8.11+:￥13.75
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SGP23N60UFDTUON(安森美)预售新品1+:￥16.99
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