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SGP10N60RUFDTU /IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
SGP10N60RUFDTU的规格信息
SGP10N60RUFDTU的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.2 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:16 A

Pd-功率耗散:75 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:SGP10N60RUFD

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:16 A

高度:9.4 mm

长度:10.1 mm

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:16 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:IGBTs

零件号别名:SGP10N60RUFDTU_NL

单位重量:1.800 g

供应商SGP10N60RUFDTU
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SGP10N60RUFDTU深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SGP10N60RUFDTU深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18124047120
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深圳市辉华拓展电子有限公司SGP10N60RUFDTU深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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Arrow(艾睿)
SGP10N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT1+:¥22.26
10+:¥20.08
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SGP10N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT1+:¥22.26
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Digi-Key 得捷电子
SGP10N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT1+:¥22.26
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Mouser 贸泽电子
SGP10N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT1+:¥22.26
10+:¥20.08
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Mouser 贸泽电子
SGP10N60RUFDTUON Semiconductor / FairchildIGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT1:¥14.9838
10:¥12.6786
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500:¥8.9157
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Rochester
SGP10N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT1+:¥22.26
10+:¥20.08
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2000+:¥6.61+:¥7.52011+:¥12.571+:¥10
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SGP10N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT1+:¥22.26
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SGP10N60RUFDTUON(安森美)预售新品1+:¥16.76
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