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SGH30N60RUFDTU /IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
SGH30N60RUFDTU的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3P-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.2 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:48 A

Pd-功率耗散:235 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:SGH30N60RUFD

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:48 A

高度:18.9 mm

长度:15.8 mm

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:48 A

栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:450

子类别:IGBTs

零件号别名:SGH30N60RUFDTU_NL

单位重量:6.401 g

供应商SGH30N60RUFDTU
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SGH30N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT450+:¥33.39
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