产品种类IGBT 晶体管

配置Single

集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V

集电极—射极饱和电压2.3 V

栅极/发射极最大电压+/- 25 V

在25 C的连续集电极电流32 A

栅极—射极漏泄电流100 uA

功率耗散230 W

最大工作温度+ 150 C

封装 / 箱体TO-3P-3

封装Tube

集电极最大连续电流 Ic32 A

最小工作温度- 55 C

安装风格Through Hole

工厂包装数量30