典型关断延迟时间150 ns

典型接通延迟时间27 ns

典型栅极电荷@Vgs40 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds2225 pF V @ 20

安装类型通孔

宽度2.3mm

封装类型TP

尺寸6.5 x 2.3 x 7mm

引脚数目3

最大功率耗散20 W

最大栅源电压±20 V

最大漏源电压45 V

最大漏源电阻值41 m

最大连续漏极电流14 A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

类别通用

通道模式增强

通道类型N

配置双漏极、单

长度6.5mm

高度7mm