不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1020pF @ 20V

功率耗散（最大值）：1W（Ta），35W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：275 毫欧 @ 5.5A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：21nC @ 10V

漏源电压（Vdss）：100V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

Vgs（最大值）：±20V

供应商器件封装：TP

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs