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SEMIX151GB12E4S /IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANS
SEMIX151GB12E4S的规格信息
SEMIX151GB12E4S的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

Collector Current232 A

Collector to Emitter Shorted Voltage1200 V

Collector to Emitter Voltage1200 V

ConfigurationDual

Continuous Collector Current232 A

Dimensions83.5 x 63.5 x 17 mm

Energy Rating16.6 mJ

Gate to Emitter Voltage20 V

Height0.669" (17mm)

Length3.287" (83.5mm)

Maximum Operating Temperature+175 °C

Minimum Operating Temperature-40 °C

Mounting TypeScrew

Number of Pins12

Package TypeSEMIX 1s

Resistance, Thermal, Junction to Case0.19 K/W

SeriesIGBT Series

Temperature Operating Range-40 to +175 °C

TypeTrench

Width2.5" (63.5mm)

供应商SEMIX151GB12E4S
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深圳市坤融电子有限公司SEMIX151GB12E4S航都大厦10I0755-23990975
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