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SEMIX101GD12VS /Diode-thyristor power module; 1.2kV; 159A; SEMIX13

SEMIX101GD12VS的规格信息

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制造厂商:SEMIKRON

描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 159A; Transistor Polarity:Six NPN; DC Collector Current:159A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:20; Packaging:Each ;RoHS Compliant: Yes

SEMIX101GD12VS

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SEMIX101GD12VS	positive temperature coefficient	SEMIKRON[Semikron International]		472.69 Kbytes	共5页		无

SEMIX101GD12VS的全球分销商及价格

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Newark element14	SEMIX101GD12VS	SEMIKRON	IGBT, MODULE, 1.2KV, 159A; Transistor Polarity:Six NPN; DC Collector Current:159A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:20; Packaging:Each ;RoHS Compliant: Yes	250 : $151.13 500 : $135.23

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