SE7401P
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道
SE7401P的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.2A
栅源极阈值电压900mV @ 250uA
漏源导通电阻120mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)900mW
类型P沟道
SE7401P
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SE7401P | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 512.49 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SE7401P的全球分销商及价格
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 立创商城 | SE7401P | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道 | 10+:¥0.230324 100+:¥0.170348 300+:¥0.159332 1000+:¥0.148316 5000+:¥0.14342 10000+:¥0.141
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