SE7314
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双P沟道
SE7314的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.7A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻68mΩ @ 2A,1.8V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型双P沟道
SE7314
SE7314及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
SE7314 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双P沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 363.10 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SE7314的全球分销商及价格
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 立创商城 | SE7314 | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双P沟道 | 5+:¥0.656046 50+:¥0.481116 150+:¥0.448986 500+:¥0.416856 2500+:¥0.402576 5000+:¥0.39552
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