SE40P20B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W 类型:P沟道
SE40P20B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻32mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)80W
类型P沟道
SE40P20B
SE40P20B及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
SE40P20B | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W 类型:P沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 558.15 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
SE40P20B的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SE40P20B | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W 类型:P沟道 | 1+:¥1.25 10+:¥1.0001 30+:¥0.9542 100+:¥0.9083 500+:¥0.8879 1000+:¥0.8779
|