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SE40300GTS /连续漏极电流(Id)(25°C 时):288A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道
SE40300GTS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)288A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻2mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)250W

类型N沟道

供应商SE40300GTS
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集好芯城SE40300GTS深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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SE40300GTS连续漏极电流(Id)(25°C 时):288A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道SINO-IC(光宇睿芯)SINO-IC(光宇睿芯)的LOGO397.84 Kbytes共7页SE40300GTS的PDF下载地址
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SE40300GTSSINO-IC(光宇睿芯)连续漏极电流(Id)(25°C 时):288A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道1+:¥8.91
10+:¥6.66
30+:¥6.24
100+:¥5.83
500+:¥5.65
1000+:¥5.56