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SE150180GTS /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：164A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：520W 类型：N沟道

SE150180GTS的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）150V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）164A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5.7mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）520W

类型N沟道

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深圳市博浩通科技有限公司	SE150180GTS	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SE150180GTS	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	SE150180GTS	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SE150180GTS	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SE150180GTS	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
寅俐（深圳）科技有限公司	SE150180GTS	深圳市福田区华强北街道海外装饰大厦A座1305室	17602007745 17602007745	张先生	询价

SE150180GTS及相关型号的PDF资料

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SE150180GTS	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：164A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：520W 类型：N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)		339.15 Kbytes	共6页		无

SE150180GTS的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SE150180GTS	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：164A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：520W 类型：N沟道	1+:￥17.1 10+:￥12.35 30+:￥11.48 100+:￥10.6 500+:￥10.22 1000+:￥10.02

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