SE150180G
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):180A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):520W 类型:N沟道
SE150180G的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)180A
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻5mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)520W
类型N沟道
SE150180G
SE150180G的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SE150180G | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):180A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):520W 类型:N沟道 | 1+:¥14.96 10+:¥11.05 30+:¥10.33 100+:¥9.62 500+:¥9.3 1000+:¥9.14
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 立创商城 | SE150180GTS | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):164A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):520W 类型:N沟道 | 1+:¥17.1 10+:¥12.35 30+:¥11.48 100+:¥10.6 500+:¥10.22 1000+:¥10.02
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