SE1216
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 6.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:P沟道
SE1216的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)21A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 6.7A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.4W
类型P沟道
SE1216
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SE1216 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 6.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:P沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 170.36 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
SE1216的全球分销商及价格
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 立创商城 | SE1216 | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 6.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:P沟道 | 5+:¥0.63877 50+:¥0.458842 150+:¥0.425794 500+:¥0.392746 2500+:¥0.378058 5000+:¥0.3708
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