SE120120GA
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道
SE120120GA的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）120V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）129A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻6.1mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）185W(Tc)
类型N沟道
SE120120GA
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| SE120120GA | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 569.56 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SE120120GA的全球分销商及价格
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立创商城 | SE120120GA | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥7.46
10+:￥5.52
30+:￥5.16
100+:￥4.8
500+:￥4.65
1000+:￥4.57
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