SE100P60A
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：P沟道
SE100P60A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）60A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻25mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）188W
类型P沟道
SE100P60A
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| SE100P60A | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：P沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 358.44 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SE100P60A的全球分销商及价格
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立创商城 | SE100P60A | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：P沟道 | 1+:￥3.24
10+:￥2.45
30+:￥2.3
100+:￥2.16
500+:￥2.09
1000+:￥2.06
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