SE100150G的供应商，SE100150G规格参数，SE100150G的PDF资料

SE100150G /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.81mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道

SE100150G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）150A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻3.81mΩ @ 100A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）300W(Tc)

类型N沟道

SE100150G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	SE100150G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SE100150G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SE100150G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SE100150G	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SE100150GA	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市博浩通科技有限公司	SE100150G	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
万三科技（深圳）有限公司	SE100150G	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

SE100150G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SE100150G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.81mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)	470.18 Kbytes	共8页	无
SE100150G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.81mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)	470.18 Kbytes	共8页	无
SE100150GA	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)	470.10 Kbytes	共8页	无

SE100150G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SE100150G	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.81mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥6.93 10+:￥5.18 30+:￥4.86 100+:￥4.54 500+:￥4.39 1000+:￥4.32
立创商城	SE100150GA	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥7.72 10+:￥5.77 30+:￥5.41 100+:￥5.05 500+:￥4.89 1000+:￥4.82

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