包装标准卷带
系列-
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）290 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）45nC @ 20V
Vgs（最大值）+25V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）650pF @ 400V
FET 功能-
功率耗散（最大值）175W（Tc）
工作温度-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装HiP247™
封装/外壳TO-247-3