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SCT20N120 /MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
SCT20N120的规格信息
SCT20N120的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:HiP-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:239 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 200 C

Pd-功率耗散:175 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:HiP247â?¢

封装:Tube

系列:SCT20N120

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:38 g

供应商SCT20N120
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集好芯城SCT20N120深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市芯幂科技有限公司SCT20N120深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SCT20N120深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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13352985419
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集好芯城SCT20N120深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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13380394549
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SCT20N120Very high operating temperature capability STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO499.56 Kbytes共13页SCT20N120的PDF下载地址
SCT20N120AGAutomotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an HiP247 package STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO487.52 Kbytes共13页SCT20N120AG的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
SCT20N120STMicroelectronics1+:¥143.87
10+:¥130.92
25+:¥120.95
50+:¥113.24
100+:¥111.28
250+:¥101.47
500+:¥94.84
1000+:¥86.991+:¥114.71
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2500+:¥89.4530+:¥137.44
120+:¥128.091+:¥133.47
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15+:¥88.961+:¥122.45
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ChipOneStop
SCT20N120STMicroelectronics1+:¥143.87
10+:¥130.92
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120+:¥128.09
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Digi-Key 得捷电子
SCT20N120STMicroelectronics1+:¥143.87
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1000+:¥86.99
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SCT20N120AGSTMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 20A HIP247$16.17000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SCT20N120HSTMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2$12.58000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
SCT20N120STMicroelectronics1+:¥143.87
10+:¥130.92
25+:¥120.95
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Mouser 贸泽电子
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250+:¥96.9
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1000+:¥88.98
2500+:¥89.45
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SCT20N120STMicroelectronicsMOSFET 1200V silicon carbide MOSFET1:¥101.5079
10:¥93.3606
25:¥89.4395
100:¥78.8401
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SCT20N120ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):1200V 栅源极阈值电压:3.5V @ 1mA 漏源导通电阻:290mΩ @ 10A,20V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W 类型:N沟道1+:¥98.01
30+:¥95.12
32+:¥95.12