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RUM001L02T2CL /MOSFET 1.2V DRIVE NCH MOSFET
RUM001L02T2CL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-723-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RUM001L02

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:180 ms

下降时间:38 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:8000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:RUM001L02

单位重量:25 mg

供应商RUM001L02T2CL
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詹嘉捷Email:jeyzhan@ckjj-ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RUM001L02T2CL深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司RUM001L02T2CL航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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李小姐Email:xiegp12@163.com询价
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RUM001L02T2CL连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO2.16 Mbytes共13页RUM001L02T2CL的PDF下载地址
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RUM001L02T2CLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品8000+:¥0.37
16000+:¥0.3101
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RUM001L02T2CLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 100MA VMT3$0.36000
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Mouser 贸泽电子
RUM001L02T2CLROHM SemiconductorMOSFET 500MA FULL CMOS LDO REGULATOR1:¥2.6103
10:¥1.7289
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Verical
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200+:¥0.25
500+:¥0.24
2000+:¥0.221+:¥0.36
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立创商城
RUM001L02T2CLROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道10+:¥0.22092
100+:¥0.166691
300+:¥0.156731
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10000+:¥0.140157