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RUH60100M /连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W(Tc) 类型:N沟道
RUH60100M的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @ 35A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)126W(Tc)

类型N沟道

供应商RUH60100M
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RUH60100MRuichips(锐骏半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 35A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.24
10+:¥4.7
30+:¥4.41
100+:¥4.13
500+:¥4
1000+:¥3.94