标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：180pF @ 10V
功率 - 最大值：320mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：TUMT3
其它名称：RUF020N02TL-NDRUF020N02TLTR