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RTR025N03TL /二极管与整流器
RTR025N03TL的规格信息
RTR025N03TL的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：RTR

高度：0.85 mm

长度：2.9 mm

类型：MOSFET

宽度：1.6 mm

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

安装风格：SMD/SMT

配置：Single

下降时间：10 ns

典型接通延迟时间：9 ns

上升时间：15 ns

Vgs-栅极-源极电压：12 V

Pd-功率耗散：1 W

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：2.5 A

Vds-漏源极击穿电压：30 V

晶体管类型：1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：950 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：N-Channel

典型关闭延迟时间：25 ns

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：220pF @ 10V

Vgs（最大值）：12V

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：92 毫欧 @ 2.5A，4.5V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-96

封装形式Package：TSMT

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：2.5A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商RTR025N03TL
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深圳市微碧半导体有限公司RTR025N03TL-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司RTR025N03TL深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司RTR025N03TL深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市辉华拓展电子有限公司RTR025N03TL深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城RTR025N03TL深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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芯莱德电子（香港）有限公司RTR025N03TL深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司RTR025N03TL深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司RTR025N03TL广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市大源实业科技有限公司RTR025N03TL深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市芯泽盛世科技有限公司RTR025N03TL龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市斌腾达科技有限公司RTR025N03TL深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司RTR025N03TL广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市毅创腾电子科技有限公司RTR025N03TL深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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RTR025N03TL2.5V Drive Nch MOS FET ROHM[Rohm]ROHM[Rohm]的LOGO54.91 Kbytes共3页RTR025N03TL的PDF下载地址无
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RTR025N03TL的全球分销商及价格
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元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		RTR025N03TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT33000+:￥1.2
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		RTR025N03TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3$0.51000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		RTR025N03TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT33000+:￥1.2
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		RTR025N03TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT33000+:￥1.2
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		RTR025N03TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT33000+:￥1.2
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99000+:￥1
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		RTR025N03TLROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT31:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.356
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		RTR025N03TLROHM(罗姆)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：92mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道5+:￥0.774162
50+:￥0.581135
150+:￥0.545681
500+:￥0.510227
2500+:￥0.49447
5000+:￥0.486684
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		RTR025N03TLVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:￥0.440316
50+:￥0.325362
150+:￥0.304248
500+:￥0.283134
2500+:￥0.27375
5000+:￥0.269113
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