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RTQ025P02TR /MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
RTQ025P02TR的规格信息
RTQ025P02TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-457T-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:72 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.85 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:RTQ025P02

晶体管类型:1 P-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.6 mm

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:RTQ025P02

供应商RTQ025P02TR
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深圳亿恒升电子有限公司RTQ025P02TR都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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RTQ025P02TR连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO94.80 Kbytes共5页RTQ025P02TR的PDF下载地址
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RTQ025P02TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6Not For New Designs
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RTQ025P02TRROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT63000+:¥1.39
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element14 e络盟电子
RTQ025P02TRROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT63000+:¥1.391+:¥3.36
10+:¥2.49
100+:¥1.57
1000+:¥1.38
3000+:¥1.3301
9000+:¥1.22
24000+:¥1.1799
99000+:¥1.171+:¥4.3
10+:¥3.63
25+:¥3.17
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Mouser 贸泽电子
RTQ025P02TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT61:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5481
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Mouser 贸泽电子
RTQ025P02TRROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT63000+:¥1.391+:¥3.36
10+:¥2.49
100+:¥1.57
1000+:¥1.38
3000+:¥1.3301
9000+:¥1.22
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立创商城
RTQ025P02TRROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道1+:¥0.82285
10+:¥0.61264
30+:¥0.574
100+:¥0.53543
500+:¥0.51828
1000+:¥0.50974