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RSR030N06TL /MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A
RSR030N06TL的规格信息
RSR030N06TL的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-346T-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:RSR030N06

晶体管类型:1 N-Channel MOSFET

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:RSR030N06

供应商RSR030N06TL
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现代芯城(深圳)科技有限公司RSR030N06TLwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RSR030N06TL深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司RSR030N06TL航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司RSR030N06TL深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
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深圳市科思奇电子科技有限公司RSR030N06TL上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市德鸿芯科技有限公司RSR030N06TL龙华新区民治樟坑东明大厦15399990331 18165780858陈梦,李丽skype:lili2269002025qq@hotmail.comEmail:13480623438@163.COM询价
上海三崧电子有限公司RSR030N06TL上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
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深圳市芯泽盛世科技有限公司RSR030N06TL龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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集好芯城RSR030N06TL深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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13352985419
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深圳市毅创腾电子科技有限公司RSR030N06TL深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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RSR030N06TLMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3AROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO1.53 Mbytes共14页RSR030N06TL的PDF下载地址
RSR030N06TL连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:85mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW 类型:N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO2.46 Mbytes共15页RSR030N06TL的PDF下载地址
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RSR030N06TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A1+:¥3.71
10+:¥2.24
100+:¥1.4
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RSR030N06TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 3A TSMT3$0.56000
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RSR030N06TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2204
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Mouser 贸泽电子
RSR030N06TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A1+:¥3.71
10+:¥2.24
100+:¥1.4
1000+:¥1.04
3000+:¥0.94
9000+:¥0.94
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99000+:¥0.81
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立创商城
RSR030N06TLROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:85mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW 类型:N沟道1+:¥1.2775
10+:¥0.9676
30+:¥0.9107
100+:¥0.8538
500+:¥0.8285
1000+:¥0.816