系列：RSR

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

安装风格：SMD/SMT

配置：Single

Vgs-栅极-源极电压：20 V

Pd-功率耗散：1 W

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：2:00 AM

Vds-漏源极击穿电压：60 V

晶体管类型：1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：120 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：N-Channel

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.9nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：180pF @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：540mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：170 毫欧 @ 2A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-96

封装形式Package：TSMT

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：2A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs