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RSD140P06TL /MOSFET Trans MOSFET P-CH 60V 14A
RSD140P06TL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:14 A

Rds On-漏源导通电阻:84 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:27 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:20 W

配置:Single

封装:Reel

系列:RSD140P06

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:110 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:45 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:240 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:RSD140P06

供应商RSD140P06TL
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现代芯城(深圳)科技有限公司RSD140P06TLwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RSD140P06TL深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市博浩通科技有限公司RSD140P06TL华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司RSD140P06TL航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城RSD140P06TL深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司RSD140P06TL深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城RSD140P06TL深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市高捷芯城科技有限公司RSD140P06TL深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市兴中芯科技有限公司RSD140P06TL深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
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杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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上海三崧电子有限公司RSD140P06TL上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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RSD140P06TL连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 1mA 漏源导通电阻:84mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W 类型:P沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO579.63 Kbytes共7页RSD140P06TL的PDF下载地址
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RSD140P06TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥2.85
5000+:¥2.7
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
RSD140P06TLROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品2500+:¥2.85
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