FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：40nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2400pF @ 25V

功率耗散（最大值）：850mW（Ta），20W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 6.5A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：CPT3

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs