FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18A（Ta），80A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1293pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），30W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：7 毫欧 @ 18A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

封装形式Package：HSOP

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：18A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs