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RS1E130GNTB /MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
RS1E130GNTB的规格信息
RS1E130GNTB的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:HSOP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:13 A

Rds On-漏源导通电阻:11.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:7.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:8 S

下降时间:3.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.3 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22.4 ns

典型接通延迟时间:8.4 ns

零件号别名:RS1E130GN

单位重量:70.600 mg

供应商RS1E130GNTB
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