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RN2102(T5L,F,T) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN2102(T5L,F,T)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:RN210(1-6) -

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:200MHz

功率 - 最大值:100mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-75,SOT-416

供应商器件封装:SSM

其它名称:RN2102(T5LFT)TR

供应商RN2102(T5L,F,T)
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RN2102(T5L,F,T)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 半导体 开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Purp Trans PNP SSM, -50V, -100A1+:¥1.57
10+:¥0.88
100+:¥0.38
1000+:¥0.29
3000+:¥0.25
9000+:¥0.22
24000+:¥0.22
45000+:¥0.21
99000+:
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