RN2101(T5L,F,T)
/Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN2101(T5L,F,T)的规格信息
数据列表：RN210(1-6) -
标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列：-
包装：带卷（TR）
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：4.7k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：30 @ 10mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：200MHz
功率 - 最大值：100mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：SSM
其它名称：RN2101(T5LFT)TR
RN2101(T5L,F,T)
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10+:￥1.96
25+:￥1.42
100+:￥1.1
250+:￥0.7
500+:￥0.59
1000+:￥0.41 |