RN2101(T5L,F,T)
/Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN2101(T5L,F,T)的规格信息
数据列表:RN210(1-6) -
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列:-
包装:带卷(TR)
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:200MHz
功率 - 最大值:100mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:SSM
其它名称:RN2101(T5LFT)TR
RN2101(T5L,F,T)
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 Digi-Key 得捷电子 | RN2101(T5L,F,T) | Toshiba America Electronic Components, Inc. | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品 | 1+:¥2.1799 10+:¥1.96 25+:¥1.42 100+:¥1.1 250+:¥0.7 500+:¥0.59 1000+:¥0.41 |