制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:否

配置:Single

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:100 kOhms

典型电阻器比率:1

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VESM-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:100

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:100 mA

峰值直流集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:150 mW

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:RN1130MFV

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:50 V

直流电流增益 hFE 最大值:100

发射极 - 基极电压 VEBO:10 V

高度:0.5 mm

长度:1.2 mm

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

类型:NPN Epitaxial Silicon Transistor

宽度:0.8 mm

商标:Toshiba

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:8000

子类别:Transistors