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RN1118MFV(TPL3) /双极晶体管 - 预偏置 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms
RN1118MFV(TPL3)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:是

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:47 kOhms

典型电阻器比率:4.7

安装风格:SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min:50

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:100 mA

Pd-功率耗散:150 mW

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:RN1118MFV

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:25 V

高度:1.2 mm

长度:1.2 mm

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

类型:NPN Epitaxial Silicon Transistor

宽度:0.5 mm

商标:Toshiba

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:8000

子类别:Transistors

供应商RN1118MFV(TPL3)
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深圳市辉华拓展电子有限公司RN1118MFV(TPL3)深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城RN1118MFV(TPL3)深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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