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RN1116(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1116(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：RN1114-18-

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：4.7k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：10k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 10mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：100mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-75，SOT-416

供应商器件封装：SSM

其它名称：RN1116(TE85LF)TR

供应商RN1116(TE85L,F)
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RN1116(TE85L,F)TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO567.44 Kbytes共11页RN1116(TE85L,F)的PDF下载地址无
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6000+:￥0.3101
15000+:￥0.26
30000+:￥0.24
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