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RM8N650HD /MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO263-2
RM8N650HD的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 50 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)80W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-263-2

Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商RM8N650HD
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