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RM8A5P60S8 /MOSFET P-CHANNEL 60V 8.5A 8SOP
RM8A5P60S8的规格信息
RM8A5P60S8的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)4.1W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-SOP

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商RM8A5P60S8
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