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RM60P60HD /MOSFET P-CHANNEL 60V 61A TO263-2
RM60P60HD的规格信息
RM60P60HD的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C61A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)171W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-263-2

Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商RM60P60HD
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