RM50P30DF
/MOSFET DFN MOSFET
RM50P30DF的规格信息
制造商:Rectron
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DFN-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:50 A
Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:84 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:35 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Rectron
正向跨导 - 最小值:20 S
下降时间:14 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:12 ns
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:50 ns
典型接通延迟时间:13 ns
RM50P30DF
RM50P30DF及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
RM50P30DF | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | RECTRON[Rectron Semiconductor] | ![RECTRON[Rectron Semiconductor]的LOGO](/PdfSupLogo/128RECTRON.GIF) | 208.19 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
RM50P30DF的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | RM50P30DF | Rectron | MOSFET DFN MOSFET | 5,000:¥3.2318 10,000:¥2.9493 25,000:¥2.9041
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