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RM50N60TI /MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO220F
RM50N60TI的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTube

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2050 pF @ 30 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)85W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeThrough Hole

Supplier Device PackageTO-220F

Package / CaseTO-220-3 Full Pack

供应商RM50N60TI
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