图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Rectron
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DFN-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:19 V
Id-连续漏极电流:45 A
Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:12 V
Qg-栅极电荷:55 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:80 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Rectron
正向跨导 - 最小值:80 S
下降时间:23 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:42 ns
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:85 ns
典型接通延迟时间:18 ns