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RM4435 /MOSFET P-CH 30V 9.1A/11A 8SOP
RM4435的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.1A (Ta), 11A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 15 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)3.1W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-SOP

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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