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RM3139K /MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
RM3139K的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C660mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs520mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds170 pF @ 16 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)150mW (Ta)

Operating Temperature150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-723

Package / CaseSOT-723

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