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RM30P30D3 /MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8DFN
RM30P30D3的规格信息
RM30P30D3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2150 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)40W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-DFN-EP (3x3)

Package / Case8-PowerVDFN

供应商RM30P30D3
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