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RM2309 /MOSFET P-CHANNEL 30V 3.1A SOT23
RM2309的规格信息
RM2309的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds226 pF @ 15 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-23

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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