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RM2301E /MOSFET P-CHANNEL 20V 2.6A SOT23
RM2301E的规格信息
RM2301E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 10 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-23

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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